芯片板块大爆发！
在隔夜美股芯片股集体大涨后，10月2日亚洲交易时段，港股、韩股芯片股亦集体大涨，SK海力士一度大涨超12%，港股中芯国际涨超8%。
消息面上，全球存储芯片市场迎来新一轮价格飙升，此次涨价潮由供需失衡、技术迭代与地缘政治多重因素驱动，国内外市场反应强烈，机构普遍看好行业未来两年景气度。摩根士丹利近日预测，鉴于明年存储领域可能出现供需失衡，内存芯片行业将迎来 “超级周期”。
芯片股集体大涨
10月2日，港股高开高走，半导体板块表现强势。截至发稿，Wind香港半导体指数涨幅超过6%，盘中一度涨超7%。
个股方面，中芯国际涨超8%，华虹半导体涨超4%，股价均创新高。
韩国半导体股亦表现强势，SK海力士盘中涨超12%，韩美半导体一度涨近8%，三星电子涨近5%。
此外，隔夜美股芯片股普遍上涨，费城半导体指数涨2.05%，再度刷新历史新高。美光科技涨超8%，英特尔涨逾7%，应用材料、ARM涨超6%，科天半导体涨超4%，阿斯麦、台积电涨超3%。
消息面上，当地时间10月1日，人工智能（AI）研究公司OpenAI与韩国芯片巨头三星电子和SK海力士宣布建立合作关系，为“星际之门”（Stargate）项目提供芯片及其他解决方案。
今年1月，美国总统特朗普宣布了名为“星际之门”的联合投资计划，主要投资者为OpenAI、软银和甲骨文。“星际之门”项目计划投资1000亿美元用于建设AI计算服务器，投资金额将在四年内扩大至5000亿美元。
扩大芯片供应是该项目的核心目标之一。英伟达上周表示，将向OpenAI投资最高1000亿美元，并为其提供数据中心芯片。
根据三星和SK海力士的声明，双方承诺加快先进芯片的生产，以满足OpenAI在“星际之门”项目中日益增长的存储需求。
此前，OpenAI上周表示，未来将与甲骨文和软银在美国境内新建五个数据中心，包括得州的两个、以及新墨西哥州、俄亥俄州和中西部地区尚未披露位置的一个。
存储芯片进入新一轮周期
分析认为，随着世界人工智能（AI）投资大幅增加，AI服务器带动存储用半导体需求爆发式增长，预计未来2—3年内存储半导体将进入价格稳步上涨的“超级周期”。特别是HBM产品需求出现指数级增长。摩根士丹利预计，全球HBM市场规模将从2023年的30亿美元增至2027年的530亿美元。
据《韩国经济》9月22日报道，三星电子近日通知主要客户，将在第四季度上调产品合约交易（大宗）价格，其中DRAM上涨15%—30%，NAND上涨5%—10%。
摩根士丹利在近期发布的一份报告中亦指出，NAND Flash（一种主要用于大容量数据存储的非易失性闪存芯片）价格很有可能在2025年第四季度继续上涨，且预计将持续到2026年。知名市场研究机构CFM闪存市场也预测，2025年第四季度存储市场价格将迎来全面上涨。
华鑫证券研报认为，存储第一轮涨价潮开始于今年4月，当时三星率先宣布今年将开始逐步停止生产DDR4内存颗粒，从而专注于生产更高端、利润更高的DDR5、LPDDR5和HBM内存。之后SK海力士也开始逐步减少DDR4产能，计划将DDR4产能压缩至20%左右。存储第二轮涨价潮开始于9月，闪迪宣布将面向所有渠道和消费者客户的产品价格上调10%以上，未来还将继续定期进行价格评估，并可能进行其他调整。近日，美光科技向渠道商发出通知，宣布其存储产品价格将上涨20%—30%。与此同时，群联也宣布跟进暂停报价，具体涨幅将视市场动态而定。多家超大规模云厂商对NAND企业级固态硬盘大额追加订单，正将NAND供给从消费市场转向企业市场。
华鑫证券表示，由于原厂产能倾向于向HBM（高带宽内存）、DDR5等高利润产品转移，希望优先将产能分配给高附加值产品等原因，头部存储厂商已给出LPDDR4X停产时间点，其中美光和SK海力士将于今年年底停止接收新订单，市场预期三星将在2026年逐步停产，国内厂商产能也向LPDDR5X倾斜。DDR4、LPDDR4X停产背后，DRAM存储厂商应对新兴的AI市场，开始加快制程转换，并倾向于发展下一代的DDR5及HBM。近期DDR5和NAND Flash涨价同样与AI基础设施建设热潮有关。OpenAI本周宣布将在美国新建5个AI数据中心，预计未来3年总投资超4000亿美元，AI发展仍需大量AI基础设施。华鑫证券认为，国内存储厂将显著受益于存储的新一轮涨价潮。
责编：万健祎
校对：廖胜超
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